射頻易商城_開(kāi)關(guān)芯片_微波開(kāi)關(guān)芯片的研究與設(shè)計(jì)⑥
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微波開(kāi)關(guān)芯片的研究與設(shè)計(jì)
微波開(kāi)關(guān)主要功能是控制信號(hào)的接收與發(fā)射， 當(dāng)系統(tǒng)處于發(fā)射狀態(tài)時(shí)， 開(kāi)關(guān)電路需要承受來(lái)自系統(tǒng)發(fā)射機(jī)發(fā)射的大功率信號(hào)， 開(kāi)關(guān)電路的功率處理能力是重要的指標(biāo)， 功率處理能力和線性度是緊密相關(guān)的， 它們都可以用 1dB 功率壓縮點(diǎn)衡量。 開(kāi)關(guān)一般位于發(fā)射鏈路的最后一級(jí)和接收鏈路的級(jí)， 開(kāi)關(guān)在發(fā)射狀態(tài)插入損耗越大意味著自功率放大器到達(dá)發(fā)射端口的信號(hào)功率越小， 即功率放大器效率越低， 而開(kāi)關(guān)在接收狀態(tài)的插入損耗越大則意味著接收鏈路噪聲越大。 為避免發(fā)射大功率信號(hào)時(shí)接收端和發(fā)射端相互干擾而造成系統(tǒng)飽和、 毀壞或不穩(wěn)定，隔離度是開(kāi)關(guān)另一重要參數(shù)。 微波開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)的成功與否， 由能否滿足這些關(guān)鍵性能參數(shù)直接衡量。 對(duì)于硅基 MOSFET 微波開(kāi)關(guān)而言， 襯底的非絕緣特性和柵氧層的易擊穿特性使其難以在保證功率處理能力的前提下實(shí)現(xiàn)合乎規(guī)格的插入損耗，這是阻礙硅基 MOSFET 微波開(kāi)關(guān)商用化的瓶頸 [20-36, 44-49] 。
2.1 插入損耗插入損耗是衡量微波開(kāi)性能關(guān)最重要的性能參數(shù)之一， 它描述開(kāi)關(guān)在導(dǎo)通狀 態(tài)所引入的損耗， 常被表示為來(lái)自源的的可用功率與傳送到負(fù)載的功率之比。 串 聯(lián)式開(kāi)關(guān)電路處于導(dǎo)通狀態(tài)的原理圖如圖 2-1（a） 所示， 其等效電路可以用電阻
和電容建模。
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